Pero podremos conseguir efectos similares mediante introduciendo impurezas, mediante procesos de difusión o por cualquier otra técnica de dopaje. Si se introducen impurezas con exceso de electrones (por ejemplo el fósforo) se generan electrones que quedan libre. Se dice que son SEMICONDUCTORES EXTRÍNSECOS TIPO N. Si por el contrario las impurezas tienen defecto de electrones se generan huecos. Se dicen que son SEMICONDUCTORES INTRÍNSECOS TIPO P.
ACTIVIDADES, INFORMACIÓN Y DOCUMENTACIÓN PARA EL CURSO DE TECNOLGÍA, PROGRAMACIÓN Y ROBÓTICA, PARA EL NIVEL DE 3º DE ESO.
martes, 20 de septiembre de 2016
3.- LOS MATERIALES SEMICONDUCTORES
Algunos elementos que se encuentran situados entre los metales y los no metales en la tabla periódica, muestran propiedades semiconductoras. Es decir, bajo determinadas circunstancias son conductores y en otras no. El caso típico es el del silicio (Si) y el germanio (Ge). Ambos pertenecen al grupo del carbono y tienen 4 electrones de valencia que utilizan para formar sendos enlaces covalentes con 4 átomos vecinos. Sin embargo, cuando la vibración térmica es suficientemente alta, uno de dichos enlaces se rompe y deja electrones libre convirtiendo la sustancia en conductora. Además en el lugar en el cual estaba dicho electrón se genera un hueco, asumible como carga positiva. Dicho hueco también se puede mover por la red. De esta manera los SEMICONDUCTORES INTRÍNSECOS, son capaces de conducir la corriente eléctrica tanto por movimiento de electrones (cargas positivas) como movimiento de huecos (cargas positivas)
Pero podremos conseguir efectos similares mediante introduciendo impurezas, mediante procesos de difusión o por cualquier otra técnica de dopaje. Si se introducen impurezas con exceso de electrones (por ejemplo el fósforo) se generan electrones que quedan libre. Se dice que son SEMICONDUCTORES EXTRÍNSECOS TIPO N. Si por el contrario las impurezas tienen defecto de electrones se generan huecos. Se dicen que son SEMICONDUCTORES INTRÍNSECOS TIPO P.
Pero podremos conseguir efectos similares mediante introduciendo impurezas, mediante procesos de difusión o por cualquier otra técnica de dopaje. Si se introducen impurezas con exceso de electrones (por ejemplo el fósforo) se generan electrones que quedan libre. Se dice que son SEMICONDUCTORES EXTRÍNSECOS TIPO N. Si por el contrario las impurezas tienen defecto de electrones se generan huecos. Se dicen que son SEMICONDUCTORES INTRÍNSECOS TIPO P.
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